針對(duì)中低功率（≤5W）器件，在室溫+10℃~150℃的環(huán)境下對(duì)QFN、QFP、BGA、SOP、SSOP、TSSOP等各種封裝形式的中、小規(guī)模MCU、數(shù)字邏輯器件、SoC數(shù)字芯片、存儲(chǔ)芯片（FLASH、DRAM等）等進(jìn)行高溫動(dòng)態(tài)老化試驗(yàn)和壽命評(píng)估試驗(yàn)。同時(shí)系統(tǒng)采用TDBI技術(shù)，在老化過程中可對(duì)被測(cè)芯片進(jìn)行邏輯功能測(cè)試。
┃ 單板信號(hào)通道數(shù) | 184路（ Bidirectional I/O） |
┃ 最大編程深度 | 64M Words(Max) |
┃ 信號(hào)最高頻率 | 20MHz |
┃ 邊沿種類 | 8 Edges |
┃ 向量邊沿格式 | 8種基本格式；D/U/Z/P ，L/H/X/T |
┃ 數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)電平 | VIH=0.6V~5.5V ， VIL≤0.8V； |
┃ 驅(qū)動(dòng)電流能力 | ±200mA |
┃ 輸出信號(hào)邊沿屬性 | Tr≤10ns ，Tf≤10ns |
┃ 窗口比較器參考電平范圍 | VOH:0.6V~5.5V，VOL:0.6V~5.5V |
注：其中向量邊沿格式解析如下： D:輸出低電平；U:輸出高電平；Z：輸出高阻態(tài)；P：輸出保持；L:接收低電平；H:接收高電平；X：接收不關(guān)心；T：接收高阻態(tài)。
專用型設(shè)備 | 更多詳情請(qǐng)聯(lián)系 → |
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