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0571-85123400
中安
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WLXB6000 (SiC Wafer Level)
SiC晶圓高溫老化測試系統+晶圓上下料機

適用于8英寸及以下、同時5片晶圓獨立高溫柵偏試驗HTGB、高溫反偏試驗HTRB、Vth測試及老化篩選。


系統符合并滿足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等試驗標準;提供API接口,開放設備狀態、通道狀態、試驗數據、失效數據等對外接口,可部署在私有云或者公有云上,實現實驗室設備、工作人員、任務及數據的數字化管理,提升試驗效率及試驗規范化、標準化程度;配備老化夾具搬運機構,實現上下料機和老化測試臺之間老化夾具搬運;搬運機構具備自動升降功能,手動或自動運動到上下料機和測試臺,自動從上下料機和老化測試臺工位取放夾具;常溫下晶圓Die上的壓痕為點狀,隨機選取若干壓痕點位進行測量,壓痕深度200~400nm。


┃ 試驗數量

整機支持3840(768*5)個通道同時老化;

┃ 試驗溫度

每區加熱臺室溫~200℃,準確性±2℃,溫度過沖≤3℃;

┃ HTRB

┃ IDSS電流檢測

電壓0~2000V,分辨率1V;

0.1μA~1mA,分辨率0.1uA,檢測精度±(1%rdg.+2LSB)

┃ HTGB

┃ IGSS電流檢測

電壓±60V,分辨率0.1V;

10pA~500uA,分辨率10pA,檢測精度±(1%rdg.+50pA)

┃ 閾值電壓檢測

┃ 保護氣壓

0-10.0V,分辨率0.1V;

0~4bar惰性氣體



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